نمونه قرارداد سرایداری و خدماتی

نمونه قرارداد سرایداری و خدماتی دانلود نمونه قرارداد سرایداری و خدماتی

دسته بندی	عمومی
فرمت فایل	docx
حجم فایل	172 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	7

قرارداد انجام خدمات نظافتی ساختمان

قرارداد خدمات سرایداری و نگهبانی

مقاله بررسی دیودهای قدرت

مقاله بررسی دیودهای قدرت مقاله بررسی دیودهای قدرت در 18 صفحه ورد قابل ویرایش

دسته بندی	فنی و مهندسی
فرمت فایل	doc
حجم فایل	13 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	18

مقاله بررسی دیودهای قدرت در 18 صفحه ورد قابل ویرایش 

انواع دیودهای قدرت

در حالت ایده آل دیود نباید هیچ زمانی بازیابی معکوسی داشته باشد که هزینه ساخت دیود را افزایش می دهد . در بسیاری از کاربردهای اثرات زمان بازیابی معکوس چندان اهمیت ندارند و می توان از دیود از دیودهای ارزان استفاده کرد . بسته به مشخصه های بازیابی و روشهای ساخت ، دیودهای قدرت را به سه گروه می توان تقسیم کرد . مشخصه ها و محدودیت های عملی هر گروه کاربردشان را مشخص می کند .

1-  دیودهای استاندارد یا همه منظوره

2-   دیودهای بازیابی سریع

3-   دیودهای شاتکی

دیودهای همه منظوره

دیودهای یکسو کننده همه منظوره زمان بازیابی معکوس نسبتاً زیادی دارند که در حدودs μ 25 است و در کاربردهای سرعت پایین بکار می روند که زمان بازیابی چندان اهمیتی ندارد (برای مثال در یکسو کننده ها و مبدلهای دیودی در کاربردهای فرکانس رودی کم تا 1KHz ومبدلهای کموتاسیون خط )  .محدوده جریان این دیودها از کمتر از یک آمپر تا چند هزار آمپر و محدوده ولتاژ 50v تا حدود 5kv می باشد . این دیودها معمولاً به روش دیفیوژن ساخته می شوند . با این وجود یکسو کننده های آلیاژی که در منابع تغذیه دستگاههای جوشکاری بکار می روند از لحاظ هزینه به صرفه تر هستند و محدوده کاری آنها تا 300A و 1000V می رسد .

دیودهای بازیابی سریع

دیودهای بازیابی سریع زمان بازیابی کوچکی (به طور معمول کمتر از s μ ) دارند . این دیودها در مدارهای مبدل dc به dc,dc,dc به ac که سرعت بازیابی اغلب اهمیت بحرانی ای دارد بکار می روند . محدوده جریانی کارکرد این دیودها از کمتر از یک آمپر تا چند صد آمپر و محدوده ولتاژشان از 50 v تا حدود 3kv است .

برای محدوده ولتاژ بالای 400v ،‌دیودهای بازیابی سریع عموماً به روش دیفیوژن ساخته می شوند و زمان بازیابی بوسیله دیفیوژن طلا یا پلاتین کنترل می شود . برای محدوده ولتاژ کمتر از 400 v دیودهای اپی تکسال سرعت کلید زنی بیشتری نسبت به دیودهای دیفیوژنی دارند . دیودهای اپی تکسال پهنای بیس کمی دارند که باعث      می شود زمان بازیابی کوچکی در حدود 50ns داشته باشند .

دیودهای شاتکی

مشکل ذخیره بار در پیوند p-n در دیودهای شاتکی حذف (یا حداقل ) شده است . این کار از طریق ایجاد یک سد پتانسیل که میان یک فلز و یک نیمه هادی متصل       می شود ، انجام می پذیرد . یک لایه فلزی روی یک لایه اپی تکسیال باریک از سیلیکون نوع n قرار داده می شوند . سد پتانسیل رفتار یک پیوند p-n را شبیه سازی می کند . عمل یکسو کنندگی فقط به حاملهای اکثریت بستگی دارد و در نتیجه حاملهای اقلیت اضافی ای برای ترکیب شدن وجود ندارند . اثر بازریابی منحصراً به خاطر ظرفیت خازنی خودپیوند نیمه هادی است .

MOSFET های قدرت

ترانزیستور پیوند دو قطبی عنصری کنترل شونده با جریان است و برای داشتن جریان در کلکتور به جریان بیس نیاز دارد . چون جریان کلکتور وابسته به جریان ورودی       می باشد ، بهره جریان به دمای پیوند بستگی زیادی دارد .

MOSFET قدرت یک عنصر کنترل شونده باولتاژ است و تنها به جریان ورودی کمی نیاز دارد . سرعت کلید زنی بسیار بالاست و زمانهای کلید زنی در حد نانو ثانیه می باشند . MOSFET های قدرت کاربردهای بسیاری در مبدلهای توان پایین و فرکانس بالا یافته اند . MOSFET ها از لحاظ تخلیه الکترو استاتیک دارای مشکلاتی هستند و کار کردن با آنها مستلزم مراقبتهای ویژه است . به علاوه محافظت آنها تحت شرایط خطای اتصال کوتا به نسبت مشکل است .

محافظت از وسایل و مدارها

مقدمه

به خاطر پروسه بازریابی معکوس عناصر قدرت و عمل کلید زنی هنگام وجود اندوکتانس در مدار ، ولتاژهای گذرا در مدارهای مبدل رخ می دهند . حتی در مدارهایی که به دقت طراحی شده اند ، ممکن است شرایط خطای اتصال کوتاه وجود داشته باشد که منجر به عبور جریان خیلی زیاد از قطعات میگردد . گرمای تولیدی ناشی از تلفات در یک عنصر نیمه هادی باید به طور موثر و کار آمدی از بین رود تاقطعه در داخل محدوده گرمایی خود کار کند . کارکرد مطمئن یک مبدل نیازمند آن است که همواره با فراهم کردن محافظت در برابر ولتاژ زیاد ،جریان زیاد و گرمای زیاد خاطر جمع باشیم که شرایط مدار هیچگاه از مقدارهای مجاز فراتر نمی روند . در عمل عناصر قدرت در برابر 1) گرمای زیاد به وسیله گرماگیرها  2) dvdt,di/dt زیاد به وسیله مدارهای اسنابر  3 ) سیگنالهای گذرای بازیابی معکوس ،  4 ) سیگنالهای گذرای سمت منبع و بار و  5 ) وضعیت خطا ناشی از فیوزها ، محافظت می شوند.

مقاله بررسی دی الکتریک و کاربرد آن

مقاله بررسی دی الکتریک و کاربرد آن مقاله بررسی دی الکتریک و کاربرد آن در 67 صفحه ورد قابل ویرایش

دسته بندی	فنی و مهندسی
فرمت فایل	doc
حجم فایل	223 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	67

مقاله بررسی دی الکتریک و کاربرد آن در 67 صفحه ورد قابل ویرایش 

« بسمه تعالی »

مقدمه

فصل اول :

( 1 ـ 1 )  تعریف دی الکتریک

( 1 ـ 2 ) الکترو استاتیک

فصل دوم :  

( 2 ـ 1 ) پلاریزاسیون دی الکترویکها

( 2 ـ 2 ) قابلیت پلاریزاسیون اتمی

( 2 ـ 3 ) جامدات یونی

( 2 ـ 4 ) قابلیت قطبی شدن وابسته به فرکانس

( 2 ـ 5 ) ثابتهای اپتیکی فلزات

فصل سوم :

( 3 ـ 1 ) گذردهی فضای آزاد

( 3 ـ 2 ) گذردهی مختلط

( 3 ـ 3 ) اندازه گیری گذردهی

( 1 ـ 3 ـ 3 ) گذردهی نسبی de

( 2 ـ 3 ـ 3 ) اندازه گیری با استفاده از پل

( 3 ـ 3 ـ 3 ) سلولهای اندازه گیری

( 4 ـ 3 ـ 3  ) روشهای مدار تشدید

( 5 ـ 3 ـ 3 ) اندازه گیریهای خط انتقال

( 6 ـ 3 ـ 3 ـ ) اندازه گیریهای میکرو موج

فصل چهارم :

( 4 ـ 1 ) قطبش پذیری

( 1 ـ 4 ـ 1 ) قطبش پذیری نوری

( 2 ـ 4 ـ 1 ) قطبش پذیری مولکولی

( 3 ـ 4 ـ 1 ) قطبش پذیری بین لایه ای

( 4 ـ 2 ) دسته بندی دی الکتریکها

( 4 ـ 3 ) مشکلات نظریه دی الکتریکها

فصل پنجم :

( 5 ـ 1 ) شکست دی الکتریکی

( 5 ـ 2 ) الکترونها در عایقها

( 5 ـ 3 ) سازو کار شکست

( 5 ـ 4 ) انواع سازو کارهای اساسی شکست در جامدات دی الکتریک

( 1 ـ 5 ـ 4 ) شکست ذاتی

( 2 ـ 5 ـ 4 ) شکست حرارتی

(3 ـ 5 ـ 4 ) شکست تخلیه ای

( 5 ـ 5 ) شکست در مایعهای دی الکتریک

( 5 ـ 6 ) قدرت دی الکترویکی

( 1 ـ 5 ـ 6 ) عوامل مؤثر بر قدرت دی الکتریکی برای بلور خالص

فصل ششم :

( 6 ـ 1 ) پیرو الکتریسیته

( 6 ـ 2 ) پیزو الکتریسیته

( 6 ـ 3 ) فرو الکتریکها

( 1 ـ 6 ـ 3 ) طبقه بندی فرو الکتریکها

مقدمه

از زمانیکه آزمایشهای ابتدایی روی الکتریسیته ساکن جهت منزوی کردن بار الکتریکی ساکن توسط مواد دی الکتریکی که بار را به خارج هدایت نمی کنند ، صورت گرفته ، لزوم مطالعه مواد دی الکتریکی با توجه به نیاز عملی به عایقها احساس گردید . کهربا ، موم ، شیشه از جمله اولین مواد عایقی بودند که کاربرد عملی داشتند . با ظهور جریان الکتریکی خواص این مواد باید بیشتر ، مطالعه می شد تا برای مقاصد کاربردی مورد استفاده واقع شده و عکس العمل آنها نسبت به اعمال یک میدان ، معین و
مشخص گردد . خواص عایقی در ماده را می توان به قدرت دی الکتریکی تعریف
کرد .

از همان آغاز شناخت الکترو استاتیک توانایی مواد دی الکتریک در افزایش ذخیرة‌ باریک خازن شناخته شده بود . کاربرهای جریان الکتریکی فرکانس بالا در ارتباط با رادیو ، تقاضاها را برای خازنهای ظرفیت بالا ، قدرت شکست بالا و ابعاد کوچک افزایش داد . برای رسیدن به این خواسته ها مواد در الکتریک زیادی آزمایش بر حسب قدرت دی الکتریک و گذردهی با توجه به کاربردشان در این حوزه رده بندی شدند و تقاضا برای مواد بهتر افزایش یافت . در موفقیت آمیز بودن هر نوع جستجو برای مواد جدید یا بهبود آنها در حوزة بخصوصی ، اطلاع از سازوگار اساسی که در ارتباط با ویژگیهای به خصوص آنهاست ، شرط اساسی است . این کار نظریه دی الکتریک است که با محاسبة رفتارها کروسکوپی بر حسب ساختمان مولکولی و اتمی ، ما را به این آگاهیها می رساند .

یک نظریة کامل، که  رفتار دی الکتریکی هر نوع ماده ای را در بر داشته باشد کار بینهایت دشوار است و احتمالاً هر گز امکان پذیر نیست . با وجود این « مدلهای » نظریه دی الکتریکهای کاربردی بر حسب فرضیات ساده شدة مجهزی بنا شده اند . با بکار بردن این مدلهای نظری ، خواص معینی که  با تغییرات پارامتریهایی که با آزمایش می توانند بررسی شوند ، پیش بینی می شود . میزان ساختمان اتمی یا مولکولی ماده بنا شده است ، موفق باشند می تواند دانش لازم را جهت جستجو در محیطهای الکتریکی مختلف مورد استفاده قرار گیرد . افزون بر این ممکن است خواصی که  تاکنون توسط آزمایش مشاهده نشده اند پیش بینی شوند . بعنوان مثال در قرن نوزدهم ، نظریه های رفتار دی الکتریک ، امکان قطبش خود به خودی یا « فرو الکتریسیته » را پیش بینی کردند .

در صورتکیه تا سال 1935 اولین مادة فرو الکتریک کشف نشده بود .

بطور خلاصه برای درک کامل رفتار دی الکتریک به دانسته های نظری قبلی در جهت شروع بحث کاربرد عملی ، درک توسعه های جدید و محاسبة خواص غیر عادی ماده مورد نیاز است جهت فراهم کردن مبنای لازم برای بررسی مدلهای نظری ، به واکنش نظریه الکترو ا ستاتیکی و آگاهی از اندازه گیری و پارامترهای ماکروسکوپی نیازمندیم . در ابتدا نظریة الکترو استاتیک را مورد بررسی قرار می دهیم .

سپس پلاریزاسیون در دی الکتریکها و قابلیت پلاریزاسیون و جامدات دی الکتریک یونی را بررسی می کنیم . بعد از آن به بررسی گذردهی و  انواع آن پرداخته و سپس انواع قطبش پذیری شکست در مایعات دی الکتریک پرداخته و در آخر  حالتهای خاصی را که به برای دی الکتریکها رخ می دهد بررسی می کنیم .

فصل دوم :

( 2 ـ 1 ) پلاریزاسیون ( قطبی شدن ) دی الکترویکها :

خواص جامدی الکتریک ناشی از پلاریزاسیون ایجاد شده بوسیلة میدان الکتریکی است وقتیکه قوانین الکترو استاتیک برای مادة در حالت چگال بکار برده می شود باید به میدان الکتریکی و پتانسیل الکتریکی یک تابع اضافه شود ، جامد مجموعة بزرگی از یونها و الکتروهای والانس است و با هادیها را بر اساس یک جریان تقریباً آزاد بار الکتریکی و دی الکتریکها را بر اساس ظرفیت ناچیزی از الکترونهای آزاد تشخیص

می دهیم . در هادیها در اثر اعمال یک  میدان بارهای آزاد دوبارة توزیع می شوند تا میدان درونی حذف گردد ، از این رو بار خالص درن یک هادی تحت شرایط استاتیک صفر است .

حال می خواهیم تأثیر یک میدان ماکروسکوپیک خارجی را روی مولکولهای یک جسم دی الکترویک بررسی کنیم .

با توجه به این که مادة مورد نظر قطبی یا غیر باشد دو نوع رفتار وجود دارد .

در یک مادة قطبی الکترونها نسبت به بارهای مثبت هستند طوری توزیع شده اند که هر مولکول دارای عمان دو قطبی دائمی نیست .

در یک مادة دی الکتریک قطبی ، هر مولکول دارای یک میان دو قطبی دائمی p است که از نحوة توزیع داخل  بارهایش ناشی می شود و در صورت نبودن یک میدان الکتریکی خارجی امتداد همان مولکولهای  مختلف بصورت کاتوره ای بوده و جسم بطور کلی میان دو قطبی ندارد ، در صورت حضور یک میدان الکتریکی بر دو
قطبی های مولکولی گشتاوی اثر می کند که  می خواهد آن را به موازات میدان قرار دهد . در واقع همسویی کل به دلیل آثار بی نظمی ناشی  اغتشاش گره هایی حاصل نمی شود و یک همسویی متوسط در راستای میدان بوجود می آید ،

مقاله بررسی جنگ الکترونیکی

مقاله بررسی جنگ الکترونیکی مقاله بررسی جنگ الکترونیکی در 83 صفحه ورد قابل ویرایش

دسته بندی	فنی و مهندسی
فرمت فایل	doc
حجم فایل	82 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	83

مقاله بررسی جنگ الکترونیکی در 83 صفحه ورد قابل ویرایش 

مقدمه:

اهمیت اقدامات جنگ الکترونیک:

استفاده از تجهیزات الکترونیکی یا بطور مستقل انجام می‌گیرد. مانند رادارها و مخابرات و یا به صورت همراه و جزئی از سلاحهای نظامی دفاعی، مانند موشکها و هواپیما‌ها بکار برده می‌شود که در هر حال کاربرد صحیح آنها بهر صورتی که باشد، باعث ارتقاء سرعت، وقت و قدرت نظامی شده و موجب می‌گردد تا ضریب موفقیت در جنگهای امروزی بالا رود. ماحصل کلام اینکه در پرتو این کاربرد، شرایط میادین نبرد بگونه‌ای رقم زده شده است که امروزه این میدانها علاوه بر ایجاد عمق، پهناور و قضا دارای بعد چهارمی بنام «قلمرو و طیف امواج الکترومغناطیسی، هم شده‌اند. این بعد آنچنان در تمامی زوایا و نقاط صحنه‌های نبرد نفوذ در رسوخ کرده است که شاید بتوان گفت بدون توجه به آن پیشرفت در سایر ابعاد جنگ هم، امکان پذیر نخواهد بود. با آنکه این قلمرو (طیف امواج الکترومغناطیسی) نیز همانند زمان بطور فیزیکی ملموس و مشهود نمی‌باشد، ولی دارای اثرات و نتایجی است که ارزش حضور آن را تأیید می کند، از طرف دیگر مطرح شدن نگرش سیستمی نسبت به جنگها و شازعات بشری در قالب  اصول و تئوری‌های فرماندهی و کنترل ، نیروهای نظامی و درگیر را آن چنان به ارتباطات قوی و پیچیده هدایت و کنترل‌های سریع و نیز تصمیم‌گیریهای قاطع و به موقع نیازمند کرده است که نقش تجهیزات الکترونیکی و مخابراتی در اجرای این اصول و شیوه‌ها را نه تنها انکار ناپذیر بلکه هر اقدامی بدون آنها را امکان ناپذیر می نمایاند. مورد دیگر اینکه ، با توجه به ضرورت شناسائی رقبا و دشمنان در صحنه‌های جهانی و منطقه‌ای برای یک کشور و اطلاع از شرایط که آن کشور را جهت ایفای نقش منطقه‌ای و جهانی و حداقل حفظ موجودیت خود، توانمند می‌سازد.

اهمیت و ارزشی بدست آوردن اطلاعات و آگاهی‌های کیفی، دقیق و سریع بیش از بیش مشخص می‌شود، با توجه به موارد فوق ، جا دارد که این دوران را «عصر اطلاعات» نامگذاری نمایند.

بنابراین کشوری که دارای اطلاعات کافی در امور اشتراکی و تاکتیکی نباشد همانند یک عنصر کور و کر، ضعیف و مشفعل عمل خواهد کرد. لذا استنباط می‌شود که استفاده از تشعشعات الکترومغناطیسی ناشی از وسایل و تجهیزات الکترونیکی دشمنان و رقبا می‌توانند بعنوان یکی از مهمترین و غنی‌ترین منابع کسب اطلاعات مطرح گردد.

با این استدلال است که در حال حاضر بعلت ارزش و اهمیت اطلاعات، آنرا فرد چهارم سیستمهای فرماندهی و کنترل  [1]می‌دانند . از سوی دیگر پیش بینی می گردد در نبردها و جنگهای آینده می‌توان از سه نیرو و قوه قدرتمند هسته‌ای شیمیایی و الکترونیکی بهره‌مند شد. اما از آنجائی که قدرت تخریب سلاحهای هسته‌ای زیاد بوده و اثرات ناشی از آن زیانبار است. بصلاح کشورهای واجد این سلاح نیست که از آن استفاده نمایند، زیرا خودشان هم بنحوی متضرر خواهند شد. از این رو آنرا بصورت یک عنصر بازدارنده مقبولتر می‌دانند . بدلایل مختلف و از جمله بعلت زشتی و قبحی که سلاحهای شیمیایی در جوامع بشری پیدا کرده است، استفاده وسیع از این سلاح‌ها هم توصیه نمی‌گردد. اما به لحاظ اینکه سیستمهای الکترونیکی دارای اینگونه محدودیتها نبوده و حتی ارکان استفاده از آنها در سلاحهای هسته‌ای و شیمیایی هم وجود دار د، لذا چنین نتیجه‌گیری می شود، جنگهای آینده شاید به احتمال ضعیف هسته‌ای یا شیمیایی باشد ولی بطور مسلم الکترونیکی خواهد بود. جهت روسنتز شدن بیانات فوق در اهمیت و ارزش جنگ الکترونیک در امور نظامی نمونه ای از استفاده آمریکا در بکارگیری تجهیزات الکترونیکی و امواج الکترومغناطیسی در کنترل و هدایت واحدهای تابعه‌اش در جهان در شرایط بحرانی و استراتژزیکی و همچنین جمع‌آوری اطلاعات از اقصی نقاط جهان بیان می شود.

این سیستم که در بخش قابل توجهی از سیستم فرماندهی و کنترل جهانی آمریکا را تشکیلی می دهد، سیستم مخابرات ماهواره‌ای MIC STAR [2]می‌باشد که شیطان بزرگ سالهاست روی آن سرمایه‌گذاری کرده است. ملاحظه می‌شود که کلیه واحدهای عملیاتی، تاکتیکی و استراتژیکی و نیز واحدهای جمع‌آوری اطلاعات در نقاط مختلف جهان بصورت یک مجموعه یکپارچه درآمده است تا آمریکا و غرب بتوانند با سرعت و دقت بیشتر در جریان امور قرار گرفته و سریعاً قادر باشند، در موارد ضروری عکس‌العمل لازم را بکار ببندند.

سیستم های رهگیری الکترونیکی

1- مقدمه

سیستم های رهگیری دفاع الکترونیکی برای کشف به موقع حضور یک یا چند سیستم  سلاح ( که در بخش 3جلد 1 تشریح شدند) در سناریوی عملیاتی استفاده می شوند. در این بخش مقوله های زیر مورد تجزیه و تحلیل قرار خواهند گرفت:

   ·گیرنده های هشدار دهنده راداری (RWR): برای کشف رادار تهدید کننده قبل از این که قادر به صدور دستور آتش به سلاحهای مربوطه اش باشد استفاده می شوند.

   ·سیستم های اقدامات پشتیبانی الکترونکی (ESM): جهت کشف حضور سکوی دشمن، در سناریوی  الکترو مغناطیسی رهگیری شده استفاده می شود(قبل از این که سکوی دشمن برای کشف سکوی محافظت نشده، زمان داشته باشد)

   ·سیستم های اطلاعات الکترونیکی (ELINT): به منظور جمع آوری اطلاعات استراتژیک از عمق خاک دشمن استفاده  می شوند.

   ·گیرنده های هشدار دهنده مادون قرمز (IRWR): جهت کشف حضور سکوهای دشمن، توسط تشعشعات مادون قرمز خود به کار می روند.

        ·گیرنده های هشدار دهنده لیزری: به منظور کشف تاباننده لیزری یا مسافت یاب لیزری استفاده می شوند.

   ·سیستم های رهگیری ارتباطی: برای رهگیری و تعیین محل انتشارات دشمن جهت مقاصد تاکتیکی استفاده می شوند و تجهیزات اطلاعات ارتباطی (COMINT) که به منظور کشف اطلاعات استراتژیک سیستم های ارتباطی دشمن به کار می روند.

معادله سیستم غیر عامل

نخستین لازمه یک دستگاه رهگیری، حساسیت مناسب آن می باشد. به منظور ارزیابی میزان حساسیت لازمه چنین دستگاهی، می توان از معادله زیر که قدرت سیگنال رادار رهگیری شونده توسط آنتن با بهره G را نشان می دهد استفاده نمود.

در این جا  ضریب انتشار در فضای آزاد (برابر واحد و  افتهای پلاریزاسیون می باشد. از آن جایی که پلاریزاسیون رادار به طور استقرایی شناخته نمی شود، از این رو سیستم رهگیری به آنتن هایی زیاد دارد که قادرند تمام پلاریزاسیون ها را دریافت کنند و بنا بر این همیشه کاملاً منطبق با سیستم رهیگیری منتشر کننده های خاص نمی باشد.

حساسیت سیستم رهگیری را با  نشان مید هیم. این حساسیت “عمل کننده” می باشد یعنی حساسیتی که برای آن، نسبت سیگنال به پارزیت (SNR)  به گونه ای است که کشف سیگنال و اندازه گیری با دقت مناسب را مطمئن سازد. بنابراین مسافت  سیستم رهگیری را می توان چنین نشان داد:

به طور کلی، گیرنده های سیستم های رهگیری با پهنای پالس هر سیگنال دریافتی منطبق نمی شوند بلکه با کوتاهترین پهنای پالس که باید کشف شود منطبق می گردند. کشف سیگنال های CW یک استثناء است که در باند باریک انجام می شود.

در مورد گیرنده هشدار دهنده دارای، شرط بر این است که کشف و تشخیص سیگنال راداری دربردی متجاوز از برد رادار سیستم سلاح پیوسته روی دهد. در مورد سیستم های ESM شرط این است که ابتدا باید انتشارات الکترو مغناطیسی رادار کشف شود، سپس رادار به نوبه خود، سکویی که روی آن سیستم ESM مربوطه نصب شده است را کشف کند. نسبت بردی که در آن ESM می تواند رادار کشف نماید به بردی که رادار، سکوی مزبور را کشف می کند، ضریب پیشرفت برد (RAF) نامیده می شود و این در واقع پارامتری است که به طور گسترده برای آزمایش و تایید سریع تجهیزات جهت اجرای نقش مطلوب استفاده می شود. اغلب و به اشتباه  در محاسبه RAF ها فقط قدرت برد تخمینی (ERP)رادار یعنی حداکثر قدرت ضربدر بهره آنتن در نظر  گرفته می شود، در حالی که طول پالس ارسالی نادیده گرفته می شود، بهر حال در نظر گرفتن شکل موج رادار ضروری است زیرا گاهی اوقات به ویژه در مورد رادار تراکم پالس، ممکن است چنین درک شود که بزرگی RAF کمتر از واحد می باشد.

---

مقاله گذر بین مد پیوسته و ناپیوسته

مقاله گذر بین مد پیوسته و ناپیوسته مقاله گذر بین مد پیوسته و ناپیوسته در 28 صفحه ورد قابل ویرایش

دسته بندی	علوم انسانی
فرمت فایل	doc
حجم فایل	40 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	28

مقاله گذر بین مد پیوسته و ناپیوسته در 28 صفحه ورد قابل ویرایش 

گذر بین مد پیوسته و ناپیوسته

در شکل ( 5-4) (الف ) و (ب ) ، خطوط پرنشاندهنده جریان های اولیه و ثانویه در مد ناپیوسته است . جریان اولیه از مقدار صفر به شکل مثلثی شروع به زیاد شدن می کند تا سطح Ip (نقطه B ) در پایان دوره روشنای ترانزیستور (شکل 5-4 الف ) .

در لبه خاموش شدن سویچ جریان اولیه که به IP1 رسیده است به ثانیویه منتقل می شود (نقطه H ) که  تازمانیکه سردات دار ثانیویه مثبت است در طی خاموش بودن سویچ جریان ثانویه که با نسبت  بطور خطی نزول می کند که L_s  اندرکتانس ثانیویه است و برابر  .

این جریان در نقطه I به صفر می رسد . یک زمان مرده T_dt   قبل از شروع دوره روشنایی بعدی در نقطه F بوجود می آید . همه انرژی ذخیره شده در اولیه اکنون قبل تز شروع سویچ در دوره بعد ( ثانویه منتقل شده است ) .مقدار متوسط یا DC جریان خروجی برابر متوسط مثلث GHT ضرب در دیوتی سایکل Toff/t است . حال برای باقی ماندن حالت ناپیوسته ، بایستی یک زمان مرده Tdt (شکل b 5-4 ) بین صفر شدن جریان ثانویه و شروع به افزایش یافتن جریان اولیه در روشن شدن سویچ وجود داشته باشد .

اگر توان پیشتری در خروجی مورد نیاز باشد ( با کاهش Ro ) ، طبق رابطه زیر Too بایستی افزایش یابد تا ولتاژ خروجی ثابت بماند.

با افزایش Ton ( در V_dc   ثابت ) ، شیب جریان اولیه ثابت می ماند و پیک جریان همانطور که در شکل (الف 5-4) نشان داده شده است از مقدار B به d می رسد مقدار پیک جریان ثانویه (= ) در شکل (5-4 ب ) از H به k فزایش می یابد و در زمان دیرتری شروع می شود ( از G به J ) .

برای ثابت ماندن ولتاژ خروجی بوسیله حلقه کنترل ، شیب ثانویها ثابت می ماند و نقطه ای که جریان ثانویه می شود به زمان روشن شدن بعدی نزدیکتر می شود که نتیجتا باعث کاهش زمان T_dt     می شود و اگر T_dt       به صفر برسد به نقطه پایان مد ناپیوسته می رسیم . همچنین با کاهش V_IN   و توان ثابت خروجی ،T_on بایستی افزایش یابد و در نتیجه T_dt   کاهش می یابد .

توجه شود تا زمانیکه مدار در مد ناپیوسته کار می کند و یک زمان مرده T_dt  وجود دارد زیاد شدن زمان روشنایی سویچ ، افزایش وسعت جریان مثلثی اولیه را بدنبال دارد و نیز سطح جریان ثانویه از GHI به JKL تغییر می کند.

از آنجایی که جریان DC خروجی ، متوسط جریان مثلثی ثانویه ضرب در ویوتی سایکل می باشد آنگاه با افزایش زمان روشن ، جریان ثانویه بیشتری برای بار در دسترس خواهد بود . وقتی که زنان مرده از بین رفت ، هرگونه افزایشی در جریان بار به افزایش زمان Ton و کاهش T_off نیاز دارد تا اینکه انتهای جریان ثانویه نتواند بیشتر به راست کشیده شود جریان ثانویه از نقطه عقبتر J و نقطه بالاتر K ، شروع می شود (شکل 5-4) ب .

سپس در نقطه شروع بعدی زمان روشن سویج (F در شکل (5-4) الف ) یا L در شکل (5-4) ب ) همچنان جریان یا انرژی مشابه از ثانویه به خارج منتقل می شود.

اکنون لبه شروع جریان اولیه یک برش خواهد داشت . حلقه فیربک می کوشد برای تامین کردن جریان مورد نیاز روشنایی را به بعد از J طول بدهد .

حال با پایان یافتن زمان خاموش ، جریان ثانوی در انتهای این زمان مقدار غیرصفر خواهد دانست و از اینجا می توان  گفت که پرش جریان در آغاز مرحله بعد بیشتر می شود .

- روش سیم بندی جدگانه [1]

2- سیم بندی انباشته یا روی هم .

که هرکدام خصوصیات مربوط به خود را دارند از سیم بندی جداگانه ، ترتیب سیم بندیها اختیاری است ، طوری که خروجی با جریان بالاتر را می توانیم نزدیک اولیه قرار دهیم و به این طریق انرژی تلف شده از اندوکتانس نشستی را کاهش دهیم اما معایب این روش عبارتند از :اولا در بازکم خروجی به علت Peale charging رگولاسیون کمی خواهیم داشت ، دوما هزینه ساخت ترانس به این روش بیشتر است . سوماپین های بوبین بیشتری مورد نیاز است .

روش سیم بندی روی هم که در شکل ( 4-4 ب ) نشان داده شده است ، رگولاسیون پیوندی را بهتر می کند و نیز هزینه ساخت کمتری دارد. اما به دلیل اینکه ولتاژ خروجی پایین تر را بالاتر را می توان در نزدیک ترین فاصله با اولیه قرار داد، دار کاهش اندوکتاتس نشستی خروجی با جریان بالاتر، انعطاف پذیر نیست .

از آنجا که تکنیک سیم بندی روی هم رگولاسیون پیوندی بهتری را ارائه می دهند. مانیز از این تفکیک بهره می گیریم و چون خروجی سه ولت جریان بیشتری راحمل می کند آن را در نزدیکترین فاصله با سیم پیچ اولیه قرار می دهیم ، هرچه سیم پیچی کوبل بیشتری داشته باشد رگولاسیون پیوندی وضعیت بهتری پیدا می کند . برای کاهش اندوکتانس پراکندگی و اثرات سوء آن که در بخش ذکر شد . سیم پیچ های خروجی را به کمک رشته سیم های موازی ، کنارهم بگونه ای می پیچیم که کل سطح بو بین را بپوسانند.

در این پروژه ، سیم پیچ 3 ولت ، جریان همه خروجیها را حمل می کند. کل جریان RMS خروجی عبارتست از :

IR_MST=IR_MS3+IR_MS6+IR_MS12

رابطه فوق یک فرض ساده کننده است و هنگامی کاملا درست است که جریان ها همشکل باشند . طبق محاسبات انجام شده برای سیم پیچ اولیه سیم با قطر mm 15/0 و تعداد دور 98 وبرای سیم پیچ باباس از همان سیم با 4 رشته موازی و تعداد دور 11 استفاده شده است . در ثانویه از سیم mm 25/0 برای همه خروجیها استفاده شده است . برای 3 ولت 4 رشته موازی ، برای 5 ولت 3 رشته موازی ، برای 12 ولت 1 رشته بکار رفته است .

---